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大众们是如何评价碳化硅的?

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大众们是如何评价碳化硅的?

发布日期:2020-05-19 作者: 点击:

  几乎每一篇关于碳化硅的文章都是这样写的:

  碳化硅的带间距是硅的2.8倍(宽间隙),达到3.09电子伏特。绝缘击穿场是硅的5.3倍,达到3.2mv /cm。其导热系数是硅的3.3倍,为49w/cm.k。由碳化硅制成的肖特基二极管和MOS场效应晶体管比相同的抗电压硅器件要薄一个数量级。杂质浓度可以是硅的两个数量级。因此,碳化硅器件的单位面积阻抗仅为硅器件的百分之一。它的漂移电阻几乎等于设备的总电阻。因此,碳化硅器件的发热量很低。这有助于降低传导和开关损耗,通常工作频率是硅器件的10倍以上。此外,碳化硅半导体具有固有的强辐射电阻。

  近年来,用碳化硅材料制成的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件,采用小输入技术,已减少到普通硅器件的十分之一。另外,碳化硅器件的热传导率很好,因为它的热值很低。另外,碳化硅功率器件在400℃的高温下也能正常工作。它可以用微小的设备控制大电流。工作电压也高得多。

碳化硅.png

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